— Agencias 23/04/2026
TSMC presentó su nueva hoja de ruta tecnológica con la que planea llevar la fabricación de semiconductores a los nodos de 1.2 y 1.3 nanómetros hacia 2029, consolidando su liderazgo en la industria global. El anuncio se realizó durante su Simposio Tecnológico en Norteamérica, donde detalló las innovaciones que marcarán el desarrollo de chips en los próximos años.
Generaciones. Las tecnologías A12 y A13 serán la base de esta nueva generación y derivan de la plataforma A14, prevista para 2028. Aunque la nomenclatura en nanómetros ya no refleja dimensiones físicas exactas, continúa siendo un indicador del nivel de sofisticación de cada proceso de fabricación.Uno de los aspectos más destacados es que la compañía continuará utilizando litografía ultravioleta extrema convencional, sin recurrir por ahora a los equipos High-NA desarrollados por ASML, lo que permitirá reducir costos sin frenar el avance tecnológico.En el plano técnico, A14 integrará transistores Gate-All-Around de segunda generación, mejorando el control eléctrico y la eficiencia.
A partir de esta base, A13 incrementará la densidad de transistores en aproximadamente 6 %, manteniendo compatibilidad con su arquitectura anterior.Asimismo, TSMC introducirá el nodo N2U, una evolución del proceso de 2 nanómetros, que ofrecerá mejoras de rendimiento de hasta 4 % y reducciones de consumo cercanas al 10 %, respondiendo a las exigencias de aplicaciones en inteligencia artificial y centros de datos.La tecnología A12, también prevista para 2029, incorporará NanoFlex Pro, una solución que optimiza el diseño de chips combinando celdas de alto rendimiento y eficiencia energética.Con esta estrategia, TSMC busca mantenerse por delante de competidores como Samsung Electronics e Intel en la carrera por la miniaturización del silicio.
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